MDD推出MOSFET系列产品，助力汽车电子等行业发展

芯片公司：辰达行（MDD）

发布时间：2023-05-18

方案介绍

摘要：在市场需求的加持下，MDD强势推出三种工艺MOSFET系列产品，为客户提供高可靠、高性能的解决方案。

根据Omdia的数据，2020年全球功率MOSFET的市场规模为81亿美元，在新能源汽车，工业控制、5G通讯等市场需求的加持下，全球增速将保持高速增长，预测在2025年将达到118.47亿美元。

MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET 器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是功率半导体的基础器件。

从汽车电子的应用场景看，MOSFET是汽车电子中的核心元件，汽车引擎、驱动系统中的变速箱控制器以及制动、转向控制，都离不开MOSFET。相比较于燃油汽车而言，新能源汽车的智能化、电动化的发展，加快了市场对MOSFET需求的进程，比如DC/DC的高压MOSFET、OBC 中的超级结MOSFET等需求激增，以满足实际运行中，对工作电流和电压的更高要求。

MDD辰达半导体凭借多年的行业经验与技术积累，在夯实二极管、三极管、整流桥的产品基础上，积极布局MOSFET系列产品，从产品规划、质量、工艺等方面取得重大突破。目前MDD面向汽车电子、电源、工控、消费电子等应用场景，推出三种工艺MOSFET系列产品，为客户提供高可靠、高性能的解决方案。

① Planar MOSFET

采用业界最新的平面技术设计制造而成，具有低导通损耗，高雪崩能量，高可靠性，更好的EMI兼容性等特点。高压平面MOSFET产品涵盖500V-700V系列电压范围，如下图，这些产品可满足各种电源系统的需求（主要适配器，充电器、LED驱动、PFC电路等）。

② Trench MOSFET

采用先进的Trench 技术设计制造而成，产品具有抗冲击能力强，高雪崩能力，高可靠性等特点。该系列产品涵盖N/P 20V~120v电压范围，如下图，这些产品针对不同应用领域对器件性能的需求特点采用不同的设计方案，是器件在各个应用场合性能最佳。可广泛应用工业控制，消费类电子，通用器件，小电流等。

③ SGT MOSFET

采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻Rsp和栅极电荷Qg。SGT系列MOSFET产品涵盖30V~150V，如下表， 可广泛应用于光伏逆变，储能变频，电机驱动、同步整流等领域中。

MDD辰达半导体简介

深圳辰达行电子有限公司（简称MDD辰达半导体）是一家专注于半导体功率器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。

公司深耕半导体领域15载，始终坚持以产品技术为驱动，以客户需求为核心，打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵，产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域，服务于全球40多个国家与地区。

公司秉持与时俱进的发展理念，基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力，持续关注前沿技术及应用领域发展趋势，全面推动产品升级迭代，提高功率器件产业化及服务闭环的能力，为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。

展望未来，公司将依托行业洞察的能力，通过品牌与技术双轮驱动，快速实现“成为国际半导体功率器件的一线品牌”的发展愿景，助力中国半导体产业升级。